Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

ТУСУР осваивает новые объекты интеллектуальной собственности

22 марта 2010
ТУСУР совместно с Томским ОАО «НИИ полупроводниковых приборов» впервые стал правообладателем топологии арсенид-галлиевой интегральной микросхемы (ИМС) крайневысокочастотного (КВЧ) диапазона

Авторы топологии - совместный коллектив исследователей-разработчиков ТУСУРа и НИИПП, ответственным исполнителем разработки является аспирант ТУСУРа Владимир Путилов.

Разработанная ИМС работает в малоосвоенном в России миллиметровом диапазоне, поскольку в качестве полупроводникового материала в ней используется не «классический» кремний – материал обычный для цифровых и низкочастотных ИМС, а арсенид галлия – материал, позволяющий создавать устройства, работающие в диапазоне крайне высоких частот.

- Арсенид галлия и другие композитные полупроводники сегодня для высокочастотных диапазонов более перспективны, чем кремний, и у наших ученых есть серьезные наработки в области их прикладного применения. Однако ранее у ТУСУРа не было ни одной зарегистрированной топологии ИМС, и свидетельство о государственной регистрации мы получили впервые, - поясняет один из авторов топологии, профессор кафедры Компьютерных систем в управлении и проектировании (КСУП) ТУСУР Александр Николаевич Сычёв. - ИМС с разработанной топологией может стать надежным компонентом новых радиоэлектронных систем миллиметрового диапазона коммерческого и оборонного назначения. Сюда можно отнести высокоскоростные системы беспроводной передачи данных и широкополосного беспроводного доступа (3 Гбит/с), беспроводный Интернет, системы связи и навигации, радиометры, радары предотвращения столкновений транспортных средств, системы с фазированными антенными решётками.

Особенностью совместной разработки ученых ТУСУР и НИИПП является то, что она имеет мембранную конструкцию и легко монтируется, не требуя трудоёмкой разварки выводов, а также промежуточных зондовых измерений на полупроводниковой пластине.

Исключительные права на ИМС с разработанной топологией принадлежат двум правообладателям – ТУСУР и НИИПП (надёжный промышленный партнёр ТУСУРа), что позволяет им беспрепятственно использовать (производить, продавать) микросхемы с такой топологией в России, не беспокоясь о возможных исках со стороны иностранных и российских конкурентов.

Разработка данной топологии ИМС осуществлена в рамках одного из ведущих научно-технических направлений ТУСУР – полупроводниковой электроники СВЧ. Создание в НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР гетероструктурного транзистора СВЧ на базе арсенида галлия открывает дополнительные возможности при создании новых интегральных схем СВЧ с улучшенными характеристиками.

***

Топология интегральной микросхемы (ИМС) – это зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов ИМС и связей между ними. При этом сама ИМС – это микроэлектронное изделие, предназ­начен­ное для выполнения функций электронной схемы. Проектирование топологии, т.е. гео­метрического расположения функциональных элементов цепей ИМС и меж­компонентных соединений между ними, требует не меньших вложений, чем разработка технологии изготовления ИМС.

Материалы по теме

03 июля 2018

ТУСУР с рабочим визитом посетил гендиректор АО «ЦКБ «Дейтон» Юрий Рубцов, который обсудил с ректором Александром Шелупановым формирование кооперации по созданию российской системы проектирования отечественной электронной компонентной базы.

22 июня 2018

Представители ТУСУРа принимают участие во Всероссийской научно-практической конференции РФФИ о совершенствовании системы взаимодействия фонда с российскими регионами, которая проходит 22–23 июня в Томске.

29 июня 2018

В Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники состоялась встреча ректора Александра Шелупанова с генеральным директором АО «НПФ «Микран» Верой Парамоновой.

21 июня 2018

Опыт совместной работы ТУСУРа и компании ИнфоТеКС в рамках сотрудничества будет учтён в стратегии взаимодействия вузов и работодателей в области информационной безопасности, которую разработает компания.