Младший научный сотрудник кафедры РЗИ Александр Шибельгут стал стипендиатом DAAD
Достижению высоких результатов способствовало активное участие А. А. Шибельгут в научно-исследовательской работе, проводящейся на кафедре радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ), а также тесное сотрудничество с зарубежными партнёрами ТУСУР: Институтом имени Георга Симона Ома г. Нюрнберга (Georg-Simon-Ohm-Hochschule Nürnberg), относящимся к группе 10 самых крупных специальных высших учебных заведений ФРГ, и его подразделением – Центром полимерных оптических волокон (Polymer Optical Fiber Application Center – POF-AC) (г. Нюрнберг, Германия) по тематике исследований.
Сотрудничество кафедры с POF-AC длится вот уже более 10 лет. За это время в его стенах прошли стажировку многие студенты и аспиранты кафедры, успешно выполнившие свои исследования и защитившие свои выпускные дипломные работы и кандидатские диссертации.
Материалы по теме
7 июня ректор ТУСУРа Александр Шелупанов выступил в качестве спикера на V Международном форуме вузов «Глобальная конкурентоспособность», организованном рейтинговым агентством RAEX (Эксперт РА).
Резиденты межвузовского бизнес-инкубатора «Дружба» Томского университета систем управления и радиоэлектроники – команда 50ohm Technologies, проект М3-Suite (Microwave Measurement and Modeling) – разрабатывают системы автоматизированного проектирования моделей СВЧ-компонентов. Материал подготовлен в рамках совместного информпроекта СБИ ТУСУРа и пресс-службы инновационных организаций Томской области.
В ТУСУРе в рамках программы сотрудничества между университетами успешно прошли стажировку студенты Лиможского университета (Лимож, Франция) и Международной школы обработки информации (Париж).
Молодые исследователи из Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники представили на конкурс разработок, который проходит в рамках форума U-NOVUS, устройство плоттерной печати узлов радиоэлектронной аппаратуры, универсальную зарядную станцию для электротранспорта и установку для электронно-лучевой обработки диэлектрических материалов.
