Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

Открыт приём документов на конкурс именных стипендий муниципального образования «Город Томск»

11 октября 2011
Ежегодно администрация Томска проводит конкурс на соискание именных стипендий муниципального образования «Город Томск».

Претендовать на получение стипендии имеют право студенты очной формы обучения, показавшие успешную учёбу в течение последних 4 учебных семестров (средний балл не ниже 4,75), имеющих значимые достижения в научно-исследовательской и общественно-значимой деятельности, имеющей практическое применение или оказывающей большое влияние на происходящие социально-политические процессы.

Номинации 2011-2012 учебного года

  • «Достижения в научно-исследовательской деятельности»
    • стипендия I степени, устанавливается в размере 2 000 рублей (9 стипендий)
    • стипендия II степени, устанавливается в размере 1 000 рублей (6 стипендий)
  • «Достижения в научно-прикладной, методической и педагогической деятельности»
    • стипендия I степени, устанавливается в размере 2 000 рублей (3 стипендии)
    • стипендия II степени, устанавливается в размере 1 000 рублей (2 стипендии)

Конкурс является открытым и проводится в форме конкурса документов.

Соискатели, претендующие на получение именной стипендии по одной из заявленных номинаций, представляют в конкурсную комиссию по назначению именных стипендий следующие документы:

  • заявление установленного образца на участие в конкурсе,
  • анкету установленного образца и фото 3х4,
  • копию или выписку из зачётной книжки, подтверждающую успешную учёбу в течение последних 4 учебных семестров (средний балл не ниже 4,75),
  • характеристику-представление от учебного заведения,
  • список опубликованных соискателем научных работ (к списку должны прилагаться копии указанных научных работ; работы, указанные как «принятые к печати», должны иметь официальное подтверждение данного факта),
  • копии документов, подтверждающие успешное занятие научно-исследовательской деятельностью: сертификаты, дипломы, подтверждающие победу или участие соискателя в научных симпозиумах, конференциях, семинарах и олимпиадах уровня не ниже городского.

Также к рассмотрению принимаются следующие документы: программа конференции, справка от официальных организаторов или копии приказов, подтверждающие участие соискателя в одном из вышеуказанных мероприятий, копии документов, подтверждающих авторство или соавторство научных и производственных изобретений (заверенные копии патентов или заявок на выдачу патента), копии приказов о включении в состав авторского (научно-исследовательского) коллектива по выполнению научно-исследовательских или договорных работ, с указанием функционала, выполняемого соискателем.

Положение и вся необходимая для оформления документация (положение о конкурсе, информационная карта конкурса, шаблоны мотивированного представления, заявления, сведений о соискателях, списка трудов) размещены на сайте ТУСУРа в разделе "Областные и вузовские конкурсы, конференции, премии, гранты".

Документы принимаются до 7 ноября 2011 года в ауд. 205 главного корпуса ТУСУРа.

Подробную консультацию и помощь в оформлении документации (включая печать и ксерокопирование) можно получить в 205 главного корпуса ТУСУРа у Е. А. Юрченковой, тел.: (3822) 701-524 (внутр. 1466), e-mail: eak@main.tusur.ru.

Источник: Отдел научно-исследовательской работы студентов

Материалы по теме

15 августа 2018

Военная академия связи имени Маршала Советского Союза С. М. Будённого отметила высокий уровень выпускников ТУСУРа, проходящих военную службу в научной роте академии.

30 июля 2018

В Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники состоялось зачисление первых абитуриентов на бюджетные места, и прошёл второй этап приёма студентов на места с полным возмещением затрат.

26 июля 2018

Проекты коллектива учёных кафедры физики ТУСУРа победили в конкурсах Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ).

25 июля 2018

В Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники разрабатывают технологии, повышающие надёжность и эффективность работы установки для импульсной электронно-лучевой обработки поверхности диэлектриков: керамики, стекла, полимеров.