Программа Фулбрайта для учёных и деятелей искусств
Финалисты конкурса получают грант на поездку в США для чтения лекций, проведения научных исследований и мастер-классов (по творческим дисциплинам).
Продолжительность исследовательского гранта составляет от 3 до 6 месяцев, лекторского и на проведение мастер-классов – от 3 до 9 месяцев.
Требования к соискателям:
- российское гражданство и постоянное проживание на территории РФ, начиная с января 2011 года,
- наличие учёной степени (для представителей академических дисциплин) или диплома о высшем образовании и стажа работы (для деятелей искусств и специалистов в области прикладных и творческих дисциплин),
- владение английским языком в пределах, необходимых для выполнения заявленного проекта,
- возраст соискателей не ограничен,
- хорошее физическое и умственное состояние,
- соискатели не должны работать в коммерческом секторе,
- на конкурс принимаются только индивидуальные проекты,
- соискатели, постоянно проживающие на территории США, имеющие вид на жительство в США или подавшие заявку на его получение, к конкурсу не допускаются.
Чтобы ознакомиться с полной информацией о требованиях к соискателям, списком конкурсных дисциплин и заполнить заявку, необходимо посетить сайт.
Другие новости
С 15 июня до конца августа учащиеся 5 – 11-х классов могут пройти обучение по перспективным IT-направлениям не выходя из дома.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники в предметном рейтинге агентства Round University Ranking (RUR) в области технических наук поднялся более чем на 20 пунктов.
Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники совместно с НИИ онкологии Томского НИМЦ при грантовой поддержке Российского научного фонда работают над программным комплексом по восстановлению речи у онкологических больных, перенёсших хирургическое вмешательство при лечении рака полости рта и ротоглотки.
Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники разработал новую систему поддержки с дифференцированной оплатой, которая предполагает скидку 50 % для абитуриентов с высокими результатами ЕГЭ.
