Учёные ТУСУРа разработали транзистор без использования драгоценных металлов, не имеющий мировых аналогов

В настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются драгоценные металлы: платина, палладий, золото, - что, влияет на конечную стоимость приборов. Эти металлы могут быть заменены менее дорогой альтернативой - медью. По мнению томских разработчиков, отказ от применения драгоценных металлов и переход к металлизации на основе меди при изготовлении транзисторов позволит не только уменьшить себестоимость их производства, но и повысить технические характеристики.

Учёные ТУСУРа предложили собственный оригинальный метод - металлизацию транзистора с использованием соединения меди с германием, которое также получается оригинальным способом.

- Нашей основной задачей было создание транзистора с высокой надёжностью параметров, - рассказывает руководитель проекта по разработке технологии производства транзисторов, аспирант кафедры физической электроники Евгений Ерофеев. - В прошлом году мы подали заявку на изобретение на данный эффект: нам удалось разработать первый в мире нанотранзистор, который имеет параметры не хуже, чем медный, однако по надёжности превосходит его в разы.

Испытания транзистора - ключевого элемента интегральных схем - прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США.

После этого, по словам Евгения Ерофеева, начнётся внедрение готовой технологии в производство, которое будут осуществлять специалисты научно-производственной фирмы «Микран». Разработка аспиранта ТУСУРа является одним из направлений совместной работы университета и компании в рамках проекта по созданию высокотехнологичного производства по 218 постановлению правительства РФ.

Результаты работы по выполнению комплексных проектов учёные ТУСУРа и сотрудники компаний-партнёров представили на школе-семинаре, которая прошла 10 - 11 ноября. По мнению Евгения Ерофеева, встреча позволила продемонстрировать результаты, которых удалось достичь разработчикам, и обменяться опытом.

Помимо Томска, собственную разработку молодой учёный уже представлял на ведущих конференциях по СВЧ-электронике в Париже и Манчестере (Великобритания) и получил высокую оценку иностранных специалистов.