Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

Пресс-релиз от 04 марта 2016г. В ТУСУР создают силовые транзисторы нового поколения

04 марта 2016
Учёные ТУСУР в партнёрстве с АО «НПФ «Микран» работают над созданием технологии производства транзисторов нового поколения для энергоэффективной преобразовательной техники.

В научно-образовательном центре «Нанотехнологии» ТУСУР создаются экспериментальные образцы нитрид-галлиевых транзисторов, которые по своим техническим характеристикам существенно превосходят кремниевые аналоги.

- Одним из основных требований рынка современной электроники является повышение эффективности преобразования и использования энергии, что требует применения новых материалов и технологий. Использование нитрид-галлиевых силовых гетероструктурных транзисторов позволит повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии до 20% в различных электронных устройствах, при этом значительно уменьшив массу и габариты вторичных источников питания. Например, если заменить кремниевые транзисторы на нитрид-галлиевые в ноутбуке, то отпадет необходимость в отдельном блоке питания, его можно будет разместить сразу в ноутбуке, - говорит директор НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР Дмитрий Зыков.

Новая технология, разработанная в ТУСУР, прежде всего найдёт своё применение в специализированных областях в составе техники, работающей в особых условиях: например, в робототехнических комплексах арктического применения или в космических аппаратах, однако в перспективе эта технология найдёт применение в сфере промышленной электроники и энергосберегающей техники, а также на предприятиях радиоэлектронной промышленности.

Широкое внедрение разрабатываемой в ТУСУР технологии позволит, с одной стороны, повысить эффективность использования (преобразования) электроэнергии, а с другой стороны, обеспечить импортозамещение кремниевых устройств современными силовыми приборами.

- Внедрение нашей технологии позволит сформировать отечественный рынок на основе опережающих решений. Сегодня в России около 90% полупроводниковых преобразователей на основе кремния - это импорт, годовой объём которого оценивается 8 - 10 млрд рублей с тенденцией к росту. Однако уже сегодня ряд российских предприятий готовы производить бортовые системы электропитания и управления для авиации и космической техники, телекоммуникационное оборудование на основе нашей технологии, обеспечивая конкурентоспособность своей продукции на мировом уровне. То, что российские предприятия сейчас будут использовать самые передовые технологии при создании новых производств позволит им обеспечить лидерство и на мировом рынке, - отмечает Дмитрий Зыков.

Исследования в области нитрид-галлиевой технологии ведутся учёными всего мира, особенно активно такая работа ведётся в США и Европе. Разработки учёных ТУСУР не уступают зарубежным аналогам, а для России этот проект, направленный в конечном итоге на создание серийной технологии, уникален.

Разработка технологии изготовления силовых коммутационных транзисторов на основе нитрида галлия для создания энергоэффективных источников вторичного электропитания выполняется в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы». Одним из конечных результатов выполнения проекта станут рекомендации по внедрению разработанной технологии в производство, которое будет выполнено на технологической базе АО «НПФ «Микран».

Похожие материалы по теме