Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

Гетероструктурный транзистор мирового уровня создан в Томске

24 марта 2010
В конце февраля группа технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР завершила работу по созданию гетероструктурного транзистора на арсениде галлия, отвечающего мировым стандартам.

В конце февраля группа технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР завершила работу по созданию гетероструктурного транзистора на арсениде галлия, отвечающего мировым стандартам.

- Этот транзистор изготовлен по самой современной гетероструктурной технологии и имеет топологический размер около 100 нанометров, - рассказывает заместитель директора НОЦ «Нанотехнологии» Леонид Бабак. - Перед группой технологов-разработчиков стояла очень сложная задача, ведь подобного рода технологические операции подробно в литературе не описываются. Все фирмы-производители строго хранят секреты производства не только потому, что это их ноу-хау, но и потому, что существуют ограничения на государственном уровне. Развитые страны отказываются продавать не только технологию производства подобных гетероструктурных транзисторов, но часто и сами устройства, поскольку они применяются и в военных целях. Таким образом, разработка ученых ТУСУР является значительным шагом вперед в развитии отечественной СВЧ-наноэлектроники.

Следующий этап работы над гетероструктурным транзистором состоит в оптимизации его конструкции, кроме того, разработчикам необходимо добиться повторяемости процесса. После этого можно будет поставить технологию транзисторов на поток и начать опытное производство СВЧ-интегральных схем на их основе. Интегральные схемы мирового уровня, позволяющие создать качественно новые радиоэлектронные и телекоммуникационные системы различного назначения, будут производиться НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР совместно с НПФ «Микран».

Tomskiy vestnik

Похожие материалы по теме