Технология предназначена для нанесения высококачественных прозрачных электропроводящих покрытий с контролируемыми значениями коэффициента пропускания и поверхностного сопротивления.
В настоящее время одним из наиболее востребованных среди металлооксидных полупроводников является оксид индия, легированный оловом (ITO). Уникальная особенность пленок ITO заключается в том, что они, будучи электропроводящими, прозрачны для света видимой части спектра и отражают в ближней ИК области. Такое сочетание свойств делает весьма актуальным исследование пленок ITO для их применения в различных областях техники.
Внешняя квантовая эффективность светодиодного кристалла определяется двумя основными величинами – внутренней эффективностью полупроводниковой гетероструктуры и эффективностью вывода света из светодиодного кристалла. Основным физическим эффектом, ограничивающим эффективность вывода света, является эффект полного внутреннего отражения на границе полупроводника и сапфировой подложки или воздуха. Для светодиодных кристаллов на основе InGaN-гетероструктур вывод света с поверхности кристалла не превышает 5%. Поэтому для увеличения эффективности светодиода успешно применяют просветляющие покрытия и оптически прозрачные контакты.
Разработанная технология нанесения пленок оксида индия, легированного оловом (ITO) позволяет получать покрытия с контролируемыми значениями удельного поверхностного сопротивления от 10 Ом/□ до 2-4 МОм/□, коэффициента пропускания излучения в видимом диапазоне от 5% до 90% при отражении в ИК области до 85%. Минимальное значение поверхностного сопротивление для такого типа материала соответствует мировому уровню.
Патент на полезную модель №144827. Тонкопленочный нагревательный элемент. Зарегистрировано в Государственном реестре полезных моделей РФ 31 июля 2014 г.
Патент на полезную модель №144827