Магнетронный источник для напыления материалов в вакууме

Описание

Разработка представлена устройством и технологией распыления, а именно:

• устройством распыления магнетронного типа с системой отвода электронного и ионного потоков из плазмы газового разряда на полупроводниковую гетероструктуру в процессе нанесения на ее поверхность тонкопленочных слоёв,
• технологией напыления прозрачного слоя растекания (оксида индия, легированного оловом) методом магнетронного распыления на светодиодные гетероструктуры из нитрида галлия с квантовыми ямами, исключающей электронно-ионную бомбардировку структуры и как следствие ее деградацию.

Данная система успешно прошла испытание на эффективность на кафедре физической электроники ТУСУР и в настоящий момент внедряется в производство светодиодов в ОАО «НИИ ПП» (г. Томск).

Технические характеристики

• Прозрачность плёнок ITO: >85 %
• Поверхностное сопротивление: ≈ 10 Ом/□
• Отсутствие электронно-ионной бомбардировки подложки
• Скорость нанесения: 3,0 нм/с
• Площадь напыления: 10 х 10 см2

Преимущества

1. Возможность по разработанной технологии получать прозрачные слои ITO с коэффициентом прозрачности > 85 % и низким значением поверхностного сопротивления ≈ 10 Ом/□ и других функциональных слоев методом магнетронного распыления без электронно-ионной бомбардировки светодиодной гетероструктуры
2. Наличие испытаний
3. Правовая защита технологических решений

Область применения

• Микро-и наноэлектроника
• Микроэлектромеханические системы

Правовая защита

Патент на изобретение № 2601903 «Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления». Дата регистрации 17.10.2016 г.