Технология пористых плёнок с низкой диэлектрической проницаемостью

Описание

Разработанная технология предназначена для использования в производстве электроники СВЧ-диапазона. Данная технология является уникальной благодаря простой технологии получения пористых слоёв диэлектрика. К тому же важной особенностью технологии является то, что она реализуется в вакуумных условиях, что полностью совместимо с технологией формирования отдельных элементов ИС.

Технические характеристики

Толщина: от 20 до 500 нм
Возможность контролируемого изменения диэлектрической проницаемости
Возможность контролируемого изменения плотности и размера пор

Преимущества

Применён новый подход к формированию пористых плёночных диэлектриков – модификация путём введения углерода. В качестве основы разрабатываемой технологии предлагается вакуумный метод получения диэлектрических плёнок диоксида кремния путём распыления составной кремниево-углеродной мишени в плазме магнетронного разряда в среде рабочего газа. В результате физико-химических процессов, протекающих на подложке, формируется мезо- и макропористая диэлектрическая плёнка диоксида кремния с заданным размером и концентрацией пор.