Аспирант кафедры РЭТЭМ В.С. Солдаткин принял участие в IX Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы»

Приглашающие стороны: физический факультет МГУ им. М. В. Ломоносова, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН и Российская академия наук.

Тематика конференции

1. Подложки для III-N эпитаксии
2. Технология материалов: рост объёмных кристаллов
3. Технология материалов: эпитаксиальные методы роста
4. Оптические, электрические и структурные свойства материалов
5. Свойства квантово-размерных структур на основе нитридов
6. Электронные и оптоэлектронные устройства на основе нитридов

Выступление Василия Солдаткина на конференции сопровождалось докладом «Применение поликристаллического CVD-алмаза для эффективного отвода тепла в мощных светодиодах», что послужило апробацией результатов диссертационной работы.

Наибольший интерес молодого учёного вызвали следующие доклады:

• Д. А. Закгейм, Д. А. Бауман: «AlGaInN светодиоды с внешней квантовой эффективностью 60 %»,
• С. Ю. Курин, А. А. Антипов, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, Х. Хелава, Б. П. Папченко, Ю. Н. Макаров: «Ультрафиолетовые светодиоды на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенные методом хлоридно-гидридной эпитаксии: исследование рабочих характеристик»,
• Н. А. Гальчина, Л. М. Коган, Н. П. Сощин, А. Н. Туркин: «Оптимизация комбинации кристалла и люминофора для белых светодиодов».

За круглым столом наиболее активно обсуждалось взаимодействие между вузами и академиями с производством.

Поездка аспиранта университета стала возможной благодаря поддержке научного управления и программы стратегического развития ТУСУРа.