Исследователь ТУСУРа стал лауреатом всероссийского конкурса научных работ по радиоэлектронике

Всероссийский научно-исследовательский институт радиоэлектроники (ФГБУ «ВНИИР») при поддержке Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга России провел конкурс научных, научно-технических и инновационных разработок, направленных на развитие радиоэлектронной промышленности. Участники подавали заявки с описанием своих разработок, которые в дальнейшем оценивались экспертами. Итоги стали известны в марте 2025 года, награждение состоялось в селе Завидово, Тверской области.

«Конкурс был проведен впервые, – рассказал сотрудник Лаборатории фотонных интегральных схем (ЛФИС) передовой инженерной школы "Электронное приборостроение и системы связи" им. А.В. Кобзева Аян Мырзахметов. – Комиссией рассматривались новизна работы, ее важность для радиоэлектроники, российской промышленности. Я подал на конкурс свою магистерскую диссертационную работу и выиграл в номинации "Научный дебют"».

Тема представленного на конкурсе исследования – «Разработка волноводной структуры на основе тонкопленочного ниобата лития на изоляторе и нагрузки из нитрида кремния».

«Я рассматривал такую структуру, в которой используется традиционный для фотоники ниобат лития, но в новой форме – тонкой пленки, – пояснил Аян. – Я предложил альтернативные способы использования этой пленки, а именно добавление дополнительного оптического слоя для манипуляций светом на чипе. В целом, интегральная фотоника в России – это перспективное направление, развитие которой позволит нам сделать конкурентоспособные отечественные оптоэлектронные устройства для промышленности. Я считаю, что в будущем, моя работа может найти применение в радарах для систем связи нового поколения». 

Тема текущих исследований, проводимых аспирантом – прямое продолжение магистерской диссертации. Напомним, что в 2025 году Аян Мырзахметов совместно с другими научными сотрудниками ТУСУРа запатентовал интегральный электрооптический модулятор по схеме интерферометра Маха-Цендера на основе тонкопленочного ниобата лития на изоляторе, нагруженного нитридом кремния. Разработанная в университете технология позволяет создавать более эффективные решения для оптической связи.