Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что  Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в  настройках своего браузера. Подробнее
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам услуги, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (Сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервиса Яндекс.Метрика)
Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

В ТУСУРе разработали интегральный оптический модулятор для сферы телекоммуникаций

17 февраля 2025
В ТУСУРе разработали интегральный оптический модулятор для сферы телекоммуникаций

В Томском госуниверситете систем управления и радиоэлектроники в 2025 году запатентован интегральный электрооптический модулятор по схеме интерферометра Маха-Цендера на основе тонкопленочного ниобата лития на изоляторе, нагруженного нитридом кремния.

Компактные, быстродействующие и энергоэффективные электрооптические модуляторы особенно востребованы в сфере телекоммуникаций. Современные сети передачи данных требуют всё больших скоростей обработки сигналов. Разработанная в ТУСУРе технология позволит создавать более эффективные решения для оптической связи.

«Электрооптический модулятор – это устройство, которое позволяет управлять оптическим сигналом с помощью электрического поля, ­– рассказывает соавтор патента, инженер лаборатории фотонных интегральных схем (ЛФИС) передовой инженерной школы (ПИШ) ТУСУРа Аян Мырзахметов. - В основе предложенного решения – тонкоплёночный монокристалл ниобата лития, обладающий выдающимися линейными и нелинейными оптическими свойствами. Такие устройства используются для модуляции света в оптоволоконных системах связи и квантовых технологиях».

Основная проблема тонкоплёночного ниобата лития заключается в сложности его технологической обработки. На сегодняшний день стандартным методом изготовления оптических структур является плазмохимическое травление, но для ниобата лития этот процесс сопровождается неконтролируемым формированием дефектов, что снижает эффективность готовых устройств. В ТУСУРе нашли решение, которое позволяет избежать этих проблем.

«Вместо травления непосредственно ниобата лития в технологическом процессе используется дополнительный слой нитрида кремния, для которого технологический процесс обработки менее сложен, - поясняет инженер ЛФИС ПИШ ТУСУРа Аян Мырзахметов. - Это позволяет значительно повысить стабильность производства и качество фотонных интегральных схем (ФИС) на основе ниобата лития».

Работа над патентом шла параллельно с магистерской диссертацией Аяна Мырзахметова: ее результаты легли в основу патента. Также в команду, работавшую над проектом, вошли инженер лаборатории Ангелина Гуляева и старший научный сотрудник ЛФИС Иван Кулинич, который выступил в качестве консультанта.    

Авторы патента уверены, что технологии интегральных схем на основе тонкоплёночного ниобата лития – это важный шаг в развитии современной фотоники. В будущем команда планирует дальнейшие исследования в этой области, включая оптимизацию технологии создания волноводных структур, тестирование новых материалов и интеграцию подобных решений в реальные системы оптической связи.

Помимо этого, такие модуляторы могут найти применение в квантовой криптографии, где требуется точное управление световыми сигналами, а также в перспективных нейроморфных вычислениях, имитирующих работу нейронных сетей с помощью фотонных процессоров. Возможность интеграции с различными фотонными платформами открывает дорогу к использованию в медицинской диагностике, лазерных системах и даже оптических сенсорах для автономных транспортных средств.

Другие новости

27 марта 2025

Аспирант Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУРа) Аян Мырзахметов стал лауреатом всероссийского конкурса научных, научно-технических и инновационных разработок, направленных на развитие радиоэлектронной промышленности, в номинации «Научный дебют». Он представил работу посвящённую разработке волноводных структур на основе тонкопленочного ниобата лития на изоляторе с дополнительным слоем из нитрида кремния.

24 февраля 2025

Исследователи Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУРа) разработали способ формирования волноводных, пространственно-неоднородных и дифракционных структур в электрооптических кристаллах. Изобретение может быть использовано при изготовлении интегрально-оптических элементов для приборов фотоники.

07 октября 2024

Эксперты Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники выступили в Треке обзорно-дискуссионных заседаний «Доверенные ПАК и ЭКБ для критической гражданской инфраструктуры», а также приняли участие в других мероприятиях деловой программы Форума.

13 марта 2025

В медиацентре РИА Томск прошёл круглый стол, посвященный новым образовательным программам Института радиоэлектронной техники ТУСУРа

НАВЕРХ