Разработчики из Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники и компании «Микран» создают быстродействующие диоды на основе гетероструктур нитрида галлия для применения в устройствах беспроводной связи пятого поколения (5G), сообщается на Инновационном портале Томской области.
«Нитрид галлия по частотным свойствам лучше кремния сохраняет работоспособность при высоких температурах и обладает высокой радиационной стойкостью. Он современный и теоретически более перспективный, чем многие другие разрабатываемые материалы. Диоды на основе нитрида галлия могут использоваться в модуляторах источников питания базовых станций связи», – цитирует слова аспиранта кафедры физической электроники ТУСУРа Ивана Федина портал inotomsk.ru.
По словам разработчиков, в ТУСУРе есть необходимое для исследований оборудование, а в «Микране» – производственная база. В настоящее время изготовлены лабораторные образцы диодов, ведётся исследование их электрических характеристик.
«В последние годы кремниевая электроника достигла теоретического предела, для создания перспективной электронной компонентной базы для устройств беспроводной связи пятого поколения (5G) требуется переход на новые полупроводниковые материалы, такие как арсенид галлия, нитрид галлия, карбид кремния, – говорит Иван Федин. – Насколько мне известно, серийных базовых станций 5G пока нет. Компании, которые работают над этим, делают ставку на разные полупроводники. Мы работаем с нитридом и арсенидом галлия и рассчитываем получить импортозамещающие компоненты для современных электронных устройств».
Аспирант Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУРа) Аян Мырзахметов стал лауреатом всероссийского конкурса научных, научно-технических и инновационных разработок, направленных на развитие радиоэлектронной промышленности, в номинации «Научный дебют». Он представил работу посвящённую разработке волноводных структур на основе тонкопленочного ниобата лития на изоляторе с дополнительным слоем из нитрида кремния.
В Томском госуниверситете систем управления и радиоэлектроники в 2025 году запатентован интегральный электрооптический модулятор по схеме интерферометра Маха-Цендера на основе тонкопленочного ниобата лития на изоляторе, нагруженного нитридом кремния.
Ректор ТУСУРа Виктор Рулевский в интервью агентству «ИНТЕРФАКС» рассказал о работе в новом для вуза направлении национальной и межгосударственной стандартизации.
В Томске при поддержке Совфеда и Минпромторга будет создан промышленный кластер микроэлектроники и беспилотных технологий. Решение было принято по итогам отраслевого совещания во время визита представительной делегации во главе с первым заместителем председателя Совета Федерации Андреем Яцкиным и министром промышленности и торговли РФ Антоном Алихановым.