Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

Ученые ТУСУР создали первый в Томске гетероструктурный транзистор, соответствующий мировым стандартам

12 марта 2010
В конце февраля группа технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР завершила работу по созданию гетероструктурного транзистора на арсениде галлия, отвечающего мировым стандартам

- Над созданием транзистора работали аспиранты ТУСУР под руководством Екатерины Валентиновны Анищенко, научный руководитель группы - Валерий Алексеевич Кагадей, - рассказывает Леонид Иванович Бабак, заместитель директора НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР. - Транзистор на базе арсенида галлия изготовлен по самой современной гетероструктурной технологии и имеет топологический размер около 100 нанометров, что отвечает мировым стандартам. Перед группой технологов-разработчиков стояла очень сложная задача, ведь подобного рода технологические операции подробно в литературе не описываются. Все фирмы-производители строго хранят секреты производства не только потому, что это их ноу-хау, но и потому, что существуют ограничения на государственном уровне. Так, развитые страны отказываются продавать не только технологию производства подобных гетероструктурных транзисторов, но часто и сами устройства, поскольку они применяются и в военных целях. Тем не менее, наши сотрудники справились с поставленной задачей и такой транзистор теперь у нас есть.

Измерения в НОЦ «Нанотехнологии» показали, что транзистор обладает хорошими параметрами и может усиливать сигналы с частотами до 100 Гигагерц и выше. Гетероструктурные транзисторы являются основным элементом наиболее распространенных изделий СВЧ-наноэлектроники - СВЧ монолитных интегральных схем. В свою очередь, такие интегральные схемы позволяют создать качественно новые радиоэлектронные и телекоммуникационные системы различного назначения.

Следующий этап работы над гетероструктурным транзистором состоит в том, чтобы оптимизировать его конструкцию и добиться повторяемости процесса. После этого можно будет поставить технологию транзисторов на поток и начать опытное производство СВЧ интегральных схем на их основе. Интегральные схемы мирового уровня будут производиться совместно с известной фирмой «Микран».

СВЧ-наноэлектроника – одно из приоритетных научных направлений развития ТУСУР. Изделия СВЧ-наноэлектроники уже применяются и будут все более широко применяться в системах космической, спутниковой и мобильной связи, высокоскоростном Интернете, телевидении высокой четкости, СВЧ-радиометрии, глобальной навигации, радиолокации, авионике, электронных средствах вооружений, устройствах для борьбы с терроризмом. Разработка ученых ТУСУР является значительным шагом вперед в развитии отечественной СВЧ-наноэлектроники.

У НОЦ «Нанотехнологии» уже есть опыт создания интегральных схем - совместно с Институтом СВЧ полупроводниковой электроники РАН по проекту томичей в январе 2010 был изготовлен первый в России усилитель мощности миллиметрового диапазона волн.

***

НОЦ «Нанотехнологии» основан в 2008 году для подготовки кадров высшей квалификации и проведения научных исследований в области СВЧ- наноэлектроники и нанотехнологий. Работы по созданию НОЦ финансировались за счет средств Федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии на 2008-2010 годы», размер гранта составил 129,5 млн рублей.

Партнерами НОЦ «Нанотехнологии» являются НПФ «Микран» (Томск), Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН (Москва), Исследовательский институт СВЧ и оптической связи XLIM при Лиможском университете (Франция), Французское космическое агентство CNES, Голландский астрономический центр ASTRON.

Фото: НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУР.

Похожие материалы по теме