В специальном конструкторском бюро «Смена» Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники разрабатывают новую технологию принтерного изготовления толстоплёночных гибридных интегральных схем (ГИС) СВЧ-диапазона.
Она позволит сократить количество технологических операций, удешевить процесс производства СВЧ ГИС и создавать уникальные изделия по технологии совместного спекания.
Изготовление толстоплёночных СВЧ ГИС печатным способом, над которым работает коллектив лаборатории печатной электроники СКБ «Смена» ТУСУРа, – важная научная и техническая задача. В настоящее время аддитивные технологии принтерной печати только начинают внедряться в практику производства электронных устройств. Существуют принтеры для печати электронных схем по струйной (ink jet) технологии, позволяющие получать плёнки функциональных слоёв толщиной до 1 мкм, но этого недостаточно для целого ряда прикладных направлений СВЧ-электроники.
Исследования, которые проводят в СКБ ТУСУРа, подтверждают, что с помощью принтерной печати возможно успешно решить эти задачи и создать принтер для использования в промышленности при изготовлении толстоплёночных гибридных интегральных схем (ГИС) СВЧ-диапазона, который позволит снизить затраты на производство, сократит время производства компонентов, а также даст возможность создавать уникальные изделия по низкотемпературной совместно-обжигаемой (Low Temperature Co-Fired) технологии.
«Мы исследуем и оптимизируем параметры чернил: вязкость, химический состав – и параллельно работаем над модификацией и доработкой принтера: при печати элементов электроники нужны пасты определённой вязкости, чтобы обеспечить нужную толщину, а для их нанесения с высоким разрешением приходится оптимизировать конструкцию дозирующего устройства (extruder’а)», – пояснила Анна Здрок, младший научный сотрудник СКБ «Смена» ТУСУРа.
Она также рассказала, что наиболее распространённым на сегодняшний день способом изготовления толстоплёночных гибридных интегральных схем является трафаретная печать. Для её осуществления изготавливается металлический шаблон – трафарет, через который на подложку наносится паста, обеспечивающая определённые электрические параметры функционального слоя. Минусы такой технологии – высокий расход материалов, как трафаретов, так и функциональных паст. Кроме того, существуют технологические ограничения трафаретной технологии – минимальная ширина и толщина линий, зазоры между соседними линиями, поэтому трафаретным способом не всегда удаётся добиться необходимых параметров при изготовлении элементов и функциональных узлов СВЧ-электроники.
В 2018 году команда СКБ «Смена» с данной разработкой вошла в тройку победителей международного конкурса INRADEL в секции «Технологический прорыв». INRADEL – программа, которую реализует ЦНИИ «Электроника» совместно с Минпромторгом России, чтобы помочь молодым учёным довести проекты от идеи до воплощения.
Доцент кафедры СВЧ и квантовой радиотехники Евгений Жечев представил элементы и подсистемы базовой версии отечественной САПР СВЧ, а инженеры НИЛ «БЭМС РЭС» Анастасия Киселева и Сергей Власов завоевали диплом II степени международного конкурса программных проектов в области САПР микроэлектроники.
Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) примет участие в ежегодной всероссийской научной конференции «Микроэлектронные системы» (МЭС), которая пройдет в кампусе Сколковского института науки и технологий (Сколтех). Ученые вуза представят 9 докладов.
Томский госуниверситет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) принял активное участие в ежегодной всероссийской научной конференции «Микроэлектронные системы» (МЭС), которая проходила в кампусе Сколковского института науки и технологий (Сколтех) 27-28 мая.
На этой неделе в Томском университете систем управления и радиоэлектроники завершаются защиты выпускных квалификационных работ. В этот раз мы решили посмотреть, чему посвятили свои проекты студенты самого крупного института ТУСУРа – ИРЭТ, который объединил три исторически сильнейших факультета: радиотехнический (РТФ), радиоконструкторский (РКФ) и факультет электронной техники (ФЭТ).