Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

НИИ систем электросвязи (НИИ СЭС)

Научно-исследовательский институт систем электрической связи (НИИ СЭС) был создан в составе Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники в 2000 году.

Первым научным руководителем НИИ СЭС был назначен Виктор Яковлевич Гюнтер, кандидат технических наук, генеральный директор ООО «Научно-производственная фирма «Микран»» (ныне АО «НПФ «Микран»»). С 2001 года по 2008 исполнительным директором НИИ СЭС был Александр Викторович Бриганец. С 2008 по 2010 год должность директора НИИ СЭС занимал Владислав Александрович Чигринец.

В 2010 году директором НИИ СЭС назначен Николай Дмитриевич Малютин, доктор технических наук, профессор (выпускник конструкторско-технологического факультета, закончил ТИРиЭТ в 1970 году).

Основные направления деятельности НИИ систем электрической связи

  • Исследование, разработка и производство узлов и модулей СВЧ-диапазона для систем связи радиолокации, приборостроения и спецтехники
  • Разработка и производство радиорелейной аппаратуры для местных, внутризоновых и технологических линий связи в диапазоне 2 – 40 ГГц, оборудования систем передачи данных со скоростями 2 – 34 Мб/с, мультиплексорного оборудования PDH
  • Разработка и производство СВЧ-оборудования для систем спутникового телевидения
  • Разработка монолитных интегральных GaAs-функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона волн

С даты основания в 2000 году до 2015 года сотрудниками НИИ СЭС выполнен объём НИОКР на сумму более 800 миллионов рублей.

Одна из НИОКР – ОКР «Разработка и внедрение технологических основ системного проектирования и производства аналогово-цифровой аппаратуры для телекоммуникаций, радиолокации и приборостроения на основе собственной GaAs-элементной базы». Работа выполнена в соответствии с договором 13.G25.31.0011СВЧ между Министерством образования и науки и ЗАО «НПФ «Микран»» в рамках постановления правительства РФ № 218.

НИИ СЭС оснащён уникальным оборудованием, позволяющим проводить измерения вплоть до частоты 170 ГГц. Имеющиеся приборы обеспечивают все виды измерений создаваемой аппаратуры и компонентной базы СВЧ.

В 2015 году закончена ОКР «Разработка и организация высокотехнологичного производства твердотельных радаров миллиметрового диапазона с применением электронной компонентной базы собственной разработки и создание на этой основе комплексированных систем мониторинга выделенных пространственных зон». Получены следующие важные научные результаты: разработана технология реализации радаров миллиметрового диапазона волн.

Партнёры НИИ систем электрической связи

  • Институт сильноточной электроники СО РАН
  • ООО «НПЦ «Техника дела»»

Основные характеристики созданной высокотехнологичной продукции, для выпуска которой АО «НПФ «Микран»» осуществил подготовку производства: создана линейка продуктов, позволяющая создавать эффективные средства защиты стратегических объектов, предотвращения опасных ситуаций и террористических угроз. Данная линейка решает задачу импортозамещения в своей отрасли и не имеет аналогов в России.

младший научный сотрудник, к.н.

старший научный сотрудник, к.н.

младший научный сотрудник

программист I категории

младший научный сотрудник

ведущий инженер

ведущий инженер

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник, к.н.

младший научный сотрудник, к.н.

электроник II категории

экономист I категории

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник

научный сотрудник

инженер II категории

инженер I категории

электроник II категории

техник I категории

младший научный сотрудник

инженер II категории

инженер I категории

инженер I категории

инженер I категории

электроник I категории

научный сотрудник, к.н.

старший научный сотрудник

Адрес: ул. Вершинина, 47, каб. 319

Тел.: (3822) 41-34-06

E-mail: mic@micran.ru

младший научный сотрудник

инженер II категории

техник I категории

младший научный сотрудник

программист II категории

инженер II категории

младший научный сотрудник

инженер I категории

Адрес: пр-т Ленина, 40, каб. 212

Тел.: (3822) 90-01-47, внутр. 1363

младший научный сотрудник

старший научный сотрудник, к.н.

научный сотрудник

инженер I категории

старший научный сотрудник, к.н.

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник

научный сотрудник

электроник I категории

младший научный сотрудник

инженер I категории

младший научный сотрудник

инженер II категории

конструктор I категории

инженер II категории

старший научный сотрудник, к.н.

инженер I категории

научный сотрудник

инженер I категории

инженер I категории

младший научный сотрудник

ведущий конструктор

научный сотрудник

электроник I категории

младший научный сотрудник

старший научный сотрудник, к.н.

техник I категории

инженер II категории

Адрес: ул. Вершинина, 47, каб. 113

Тел.: (3822) 90-00-29

электроник II категории

младший научный сотрудник

ведущий научный сотрудник, к.н.

ведущий инженер

экономист I категории

техник I категории

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник

Тел.: внутр. 1367

старший научный сотрудник, к.н.

лаборант-исследователь