Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

НИИ систем электросвязи (НИИ СЭС)

Научно-исследовательский институт систем электрической связи (НИИ СЭС) был создан в составе Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники в 2000 году.

Первым научным руководителем НИИ СЭС был назначен Виктор Яковлевич Гюнтер, кандидат технических наук, генеральный директор ООО «Научно-производственная фирма «Микран»» (ныне АО «НПФ «Микран»»). С 2001 года по 2008 исполнительным директором НИИ СЭС был Александр Викторович Бриганец. С 2008 по 2010 год должность директора НИИ СЭС занимал Владислав Александрович Чигринец.

В 2010 году директором НИИ СЭС назначен Николай Дмитриевич Малютин, доктор технических наук, профессор (выпускник конструкторско-технологического факультета, закончил ТИРиЭТ в 1970 году).

Основные направления деятельности НИИ систем электрической связи

  • Исследование, разработка и производство узлов и модулей СВЧ-диапазона для систем связи радиолокации, приборостроения и спецтехники
  • Разработка и производство радиорелейной аппаратуры для местных, внутризоновых и технологических линий связи в диапазоне 2 – 40 ГГц, оборудования систем передачи данных со скоростями 2 – 34 Мб/с, мультиплексорного оборудования PDH
  • Разработка и производство СВЧ-оборудования для систем спутникового телевидения
  • Разработка монолитных интегральных GaAs-функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона волн

С даты основания в 2000 году до 2015 года сотрудниками НИИ СЭС выполнен объём НИОКР на сумму более 800 миллионов рублей.

Одна из НИОКР – ОКР «Разработка и внедрение технологических основ системного проектирования и производства аналогово-цифровой аппаратуры для телекоммуникаций, радиолокации и приборостроения на основе собственной GaAs-элементной базы». Работа выполнена в соответствии с договором 13.G25.31.0011СВЧ между Министерством образования и науки и ЗАО «НПФ «Микран»» в рамках постановления правительства РФ № 218.

НИИ СЭС оснащён уникальным оборудованием, позволяющим проводить измерения вплоть до частоты 170 ГГц. Имеющиеся приборы обеспечивают все виды измерений создаваемой аппаратуры и компонентной базы СВЧ.

В 2015 году закончена ОКР «Разработка и организация высокотехнологичного производства твердотельных радаров миллиметрового диапазона с применением электронной компонентной базы собственной разработки и создание на этой основе комплексированных систем мониторинга выделенных пространственных зон». Получены следующие важные научные результаты: разработана технология реализации радаров миллиметрового диапазона волн.

Партнёры НИИ систем электрической связи

  • Институт сильноточной электроники СО РАН
  • ООО «НПЦ «Техника дела»»

Основные характеристики созданной высокотехнологичной продукции, для выпуска которой АО «НПФ «Микран»» осуществил подготовку производства: создана линейка продуктов, позволяющая создавать эффективные средства защиты стратегических объектов, предотвращения опасных ситуаций и террористических угроз. Данная линейка решает задачу импортозамещения в своей отрасли и не имеет аналогов в России.

Директор нии
Доктор технических наук, профессор

Адрес: пр-т Ленина, 40, каб. 212

Тел.: (3822) 52-79-42, внутр. 1458

E-mail: ndm@main.tusur.ru

младший научный сотрудник, к.н.

младший научный сотрудник

программист I категории

младший научный сотрудник

старший научный сотрудник, к.н.

ведущий инженер

старший научный сотрудник, к.н.

научный сотрудник

старший научный сотрудник, к.н.

младший научный сотрудник, к.н.

ведущий инженер

ведущий инженер

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник, к.н.

электроник II категории

экономист I категории

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник

инженер II категории

инженер I категории

электроник II категории

техник I категории

младший научный сотрудник

инженер II категории

инженер I категории

инженер I категории

инженер I категории

электроник I категории

инженер I категории

Адрес: ул. Вершинина, 47, каб. 106

Тел.: (3822) 90-00-29

старший научный сотрудник

Адрес: ул. Вершинина, 47, каб. 319

Тел.: (3822) 41-34-06

E-mail: mic@micran.ru

младший научный сотрудник

инженер II категории

техник I категории

младший научный сотрудник

инженер II категории

младший научный сотрудник

инженер I категории

Адрес: пр-т Ленина, 40, каб. 212

Тел.: (3822) 90-01-47, внутр. 1363

младший научный сотрудник

инженер I категории

старший научный сотрудник, к.н.

младший научный сотрудник

младший научный сотрудник

научный сотрудник

электроник I категории

младший научный сотрудник

инженер I категории

младший научный сотрудник

инженер II категории

конструктор I категории

инженер II категории

инженер I категории

научный сотрудник

инженер I категории

инженер I категории

младший научный сотрудник

ведущий конструктор

научный сотрудник

электроник I категории

младший научный сотрудник

старший научный сотрудник, к.н.

техник I категории

инженер II категории

Адрес: ул. Вершинина, 47, каб. 118

Тел.: (3822) 90-00-29, сот. 906-949-66-73

электроник II категории

младший научный сотрудник

ведущий научный сотрудник, к.н.

экономист I категории

техник I категории

ведущий научный сотрудник, д.н.