Размер шрифта:
+
Цвет сайта:
Изображения:

Специалисты НОЦ «Нанотехнологии» получили экспериментальные образцы транзисторов, созданных по новой технологии

28 июня 2017
Специалисты НОЦ «Нанотехнологии» получили экспериментальные образцы транзисторов, созданных по новой технологии

На новом участке научно-образовательного центра (НОЦ) «Нанотехнологии» Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектроники проводится опытно-технологическая работа по созданию собственной технологии c использованием высокопроизводительной фотолитографии – базового технологического процесса для изготовления интегральной схемы с заданными характеристиками.

Полученные таким образом интегральные схемы будут использоваться АО «НПФ "Микран"» в создании оборудования для авионики, систем радиолокации и связи. Новая технология позволит увеличить точность и производительность работы в несколько десятков раз.

Монолитная интегральная схема на основе арсенида галлия (GaAs МИС) – одна из важных составляющих электронной компонентной базы. Новая технология позволяет мультиплицировать элементы интегральной схемы с помощью фотошаблона на полупроводниковую пластину на специальной установке проекционной фотолитографии.

«В случае электронно-лучевой литографии, которой занимаются специалисты функционирующего уже несколько лет участка в НОЦ, электронный луч «рисует» каждый элемент схемы по всей пластине. Процесс создания рисунка на одной пластине может занять сутки, – пояснил директор НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУРа Дмитрий Зыков. – Технология проекционной фотолитографии является высокопроизводительной и позволяет за несколько десятков секунд «зарисовать» всю площадь пластины».

Отработка технологии в настоящее время ведётся на новом участке НОЦ «Нанотехнологии». В 2016 году для этих целей сюда поступила специальная установка. Как пояснили в центре, готовых решений для такого оборудования нет, поэтому перед специалистами стоит задача научиться «рисовать» на ней, настроить все необходимые параметры и задать программу работы.

Дмитрий Зыков, директор НОЦ «Нанотехнологии»

Особенность в том, что здесь фотошаблон содержит более крупный по размеру чип или небольшую группу чипов, которые проецируются на полупроводниковую пластину с уменьшением масштаба в 5 раз. В новую установку можно загрузить несколько фотошаблонов разных слоёв топологии МИС, она их спроецирует на одну пластину по заданной программе, автоматически совмещая слои между собой, таким образом, повышается точность взаимного расположения элементов МИС. Засветка одного чипа занимает доли секунды. Это даёт увеличение производительности.

Ещё один плюс собственной технологии – в её управляемости, возможности настройки под определённые необходимые задачи.

В настоящее время специалисты НОЦ «Нанотехнологии» создают опытные образцы элементов интегральных схем.

По словам директора НОЦ «Нанотехнологии», в настоящее время работы находятся на стадии изготовления тестового транзистора – основного активного элемента интегральной схемы, определяющего её параметры. Экспериментальные образцы таких транзисторов уже получены.

Материалы по теме

04 июня 2018

ТУСУР принял участие в собрании членов консорциума ЦК НТИ по направлению «Технология беспроводной связи и Интернета вещей», которое состоялось в Москве. На встрече среди других обсуждались вопросы формирования научно-технической и инновационной инфраструктуры консорциума.

04 июня 2018

Договор о создании регионального центра компетенций Национальной технологической инициативы (НТИ) по Сибирскому, Уральскому и Дальневосточному федеральным округам по направлению «Технологии беспроводной связи и Интернета вещей» подписан ректором ТУСУРа Александром Шелупановым и ректором Сколковского института науки и технологий (Сколтех) Александром Кулешовым в рамках проходящей в Москве масштабной стартап-конференции для технологических предпринимателей Startup Village.

24 мая 2018

В ТУСУРе выбрали лауреатов конкурса попечительского совета вуза «Лучший инновационный проект ГПО».

06 июня 2018

7 июня в ТУСУРе откроется конференция «Проблемы информационной безопасности государства, общества и личности», участие в которой примут представители 40 российских вузов и организаций – специалисты и эксперты отрасли высоких технологий, сотрудники различных федеральных ведомств.